最新报道！三星挖角苹果Siri前高管 筹建北美人工智能中心

三星挖角苹果Siri前高管 筹建北美人工智能中心

北京讯 据知情人士透露，三星电子正在合并其位于北美的两个专注于人工智能研究的部门，并聘请前苹果公司高管穆拉特·阿巴克（Murat Akbacak）领导这个新部门。

阿巴克此前在苹果公司负责Siri语音助手的开发工作，拥有超过15年的人工智能领域经验。他将带领三星北美人工智能中心团队进行包括自然语言处理、计算机视觉和机器学习等领域的研究工作。

三星此举旨在加强其在人工智能领域的竞争力。人工智能被视为科技行业未来的重要增长动力，三星希望通过在人工智能领域的投入，能够在智能手机、智能家居和汽车等领域取得领先地位。

新的北美人工智能中心将整合三星在多伦多和加州山景城的研发团队。三星表示，此举将提高效率，并使公司能够更好地利用其在北美的人才资源。

近年来，三星一直加大人工智能领域的研发投入。2022年，三星成立了三星高级技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology），专门从事人工智能和机器人等前沿技术的研究。

三星还与多家大学和研究机构建立了合作关系，共同开发人工智能技术。例如，三星与斯坦福大学合作开发了人工智能芯片，与麻省理工学院合作开发了人工智能算法。

分析人士认为，三星聘请阿巴克领导北美人工智能中心，是其加大人工智能研发投入的重要举措。阿巴克在人工智能领域拥有丰富的经验和影响力，他将能够帮助三星吸引顶尖人才，并推动公司在人工智能领域取得突破性进展。

以下是对原文主要信息的扩充：

• 阿巴克在苹果公司负责Siri语音助手的开发工作期间，曾领导团队实现了多项技术突破，例如将Siri的语音识别准确率提高了20%。
• 三星北美人工智能中心将拥有超过200名工程师和科学家。
• 三星计划在未来五年内投资100亿美元用于人工智能研发。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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